In letzter Zeit haben chinesische Laserhersteller ein {{{0} -Zoll -Silizium -Carbid -Substrat -Laser -Stripping -Automatisierungslösung erfolgreich implementiert, das die Verluste erheblich reduzierte, die Verarbeitungsgeschwindigkeit und die Verbesserung der Kostenreduzierung und die Verbesserung der Kostenreduzierung und die Verbesserung der Effizienz in der Siliziumkarbidindustrie förderte.
Zuvor haben die chinesischen Laserhersteller die Führung des leitenden Silizium -Carbid -Substrat -Laser -Stripping -Geräts von "8- Zoll leitend angelegt und im Januar dieses Jahres die Anerkennung der" ersten inländischen Ausrüstung "gewonnen.
Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziummaterialien weist Siliziumcarbid eine breitere Bandlücke, einen höheren Schmelzpunkt, eine höhere Elektronenmobilität und eine höhere thermische Leitfähigkeit auf. Es kann stabil unter hohen Temperatur- und Hochspannungsbedingungen funktionieren. Es ist zu einem Schlüsselmaterial für die Verbesserung der neuen Energie- und Halbleiterindustrie geworden und hat technologische Revolutionen in Elektrofahrzeugen, Photovoltaik -Stromerzeugung, intelligenten Gittern, drahtlosen Kommunikation und anderen Feldern gefördert.
Der Anteil der Substratmaterialkosten bei den Gesamtkosten bleibt jedoch hoch, was die großflächige Industrialisierung und Förderung von Siliziumcarbidgeräten erheblich behindert. Eine der wichtigsten Möglichkeiten, die Kosten zu senken und die Effizienz zu steigern, besteht darin, größere Siliziumkarbid -Substratmaterialien herzustellen. Im Vergleich zu 6- Inch und {8- Inch -Substraten können 12- -Inch -Substratmaterialien die für die Chipherstellung verfügbare Fläche auf einem einzelnen Wafer weiter erweitern und die Auslagenkosten unter den gleichen Produktionsbedingungen erheblich reduzieren.
Im Dezember 2024 haben inländische Silizium -Carbid -führende Unternehmen die neueste Generation von 12- Zoll Silizium -Carbid -Substraten bekannt gegeben. Während sie den internationalen Entwicklungstrend leiteten, stellten sie auch die Nachfrage nach Schneiden von Silizium-Carbid-Substraten in Höhe von ultra-großer Größe über 12 Zoll vor.
Entsprechend haben chinesische Laserhersteller die "ultra-große Größe des Silizium-Carbid-Substrat-Laser-Stripping-Technologie" mit der schnellsten Geschwindigkeit auf den Markt gebracht, wobei die Lösung des "Slicing" -Problems von 12-} Zoll und größeren Silizium-Carbide-Substraten übernommen wird.
Diese Technologie kann eine präzise Positionierung, einheitliche Verarbeitung und kontinuierliches Streifen von Silizium -Carbid -Pergots erreichen. Seine herausragenden Vorteile sind:
- Automatisierung- Die Automatisierung von Ingot -Ausdünnung, Laserverarbeitung, Substratabstreifen und anderen Prozessen wurde realisiert. Jeder Prozess kann parallel und die Produktionslinie flexibel eingesetzt werden.
- Niedriger Verlust- Kein materieller Verlust während des Laser -Stripping -Vorgangs. Nur etwa 80-100 μm des Materials muss im nachfolgenden Ausdünnungsprozess von den oberen und unteren Oberflächen entfernt werden. Im Vergleich zur traditionellen Schnitttechnologie wird der Rohstoffverlust stark reduziert.
- Hohe Effizienz-Die Substratproduktionszeit ist stark verkürzt, was die Forschungs- und Entwicklungs-Iteration der ultra-großen Silizium-Carbid-Substrat-Technologie beschleunigt. Es kann auch zur groß angelegten Massenproduktion von Silizium-Carbid-Substraten von ultra-großer Größe in Zukunft verwendet werden, was die Kostensenkung und die Verbesserung der Effizienz in der Branche fördert.
Als typisch-technologischintensive Branche hat die Halbleitermaterialindustrie von dem Mangel an High-End-Technologie und -talenten geplagt, und die Jahre der Auslandsblockade haben die rasche Entwicklung der Branche behindert. Das Gründungsteam des China -Laserherstellers stammte aus dem Labor der Nanophotonics and Instrument Technology der West Lake University. Das Team ist seit vielen Jahren tief im Bereich der Micro-Nano-Optoelektronik tätig, einschließlich Micro-Nano-Verarbeitungstechnologie und Instrumentengeräte, Micro-Nano-Photonen-Theorie und optoelektronischen Geräten, wichtigen Theorien und Technologien für intelligente Anwendungen usw., die Innovationsunterstützung und technische Reservate für China-Laser-Hersteller bieten.
Laut Yoles Prognose wird die globale Marktgröße von Siliciumcarbid -Leistungsgeräten bis 2027 6,7 Milliarden US -Dollar mit einer zusammengesetzten jährlichen Wachstumsrate von 33,5%erreichen und auf dem Gebiet der neuen Energie und Halbleiter zu einem Kernmaterial werden. Die heiße AR -Brille verwendet auch "Siliziumcarbid" als Linsenmaterial, um den Leistungsübergang zu vervollständigen. Es wird erwartet, dass die weltweite Marktgröße der AR -Brille im Jahr 2030 300 Milliarden US -Dollar überschreiten wird, was zu einem weiteren "neuen blauen Ozean" für die Anwendung von Silizium -Carbid -Materialien wird. Es wird angenommen, dass mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung von Herstellungsprozessen und der kontinuierlichen Ausdehnung von Anwendungsfeldern Siliziumcarbidgeräte letztendlich auf dem Halbleiter und den optischen Feldern glänzen werden.
MRJ-Laser ist ein professionelles Instrument- und Ausrüstungsunternehmen, das F & E, Produktion und Verkauf integriert. Es ist positioniert, um die Schmerzpunkte der fortschrittlichen Fertigungsindustrie zu lösen, die Kerntechnologie von mikro-nano-optoelektronischen Informationen anzuwenden und Instrumente und Geräte für präzise Verarbeitung zu verarbeiten. Mit der Mission, jedem technologischen Durchbruch zu helfen, fördert es weiterhin die Entwicklung innovativer Technologien in der Optoelektronikindustrie.
MRJ-Laser hat die ultraschnelle Laserverarbeitungstechnologie in die Verarbeitungsindustrie der Siliziumkarbid-Substrat angewendet, die Entwicklung des Silizium-Carbid-Substrat-Laser-Stripping-Geräte und integrierten Systeme abgeschlossen und die Anwendung des Silizium-Carbid-Substrat-führenden Unternehmens erreicht. Das Produkt wurde als erste Ausrüstung in China zertifiziert. Die relevante Technologie hat auch ein vielversprechendes Anwendungspotenzial bei der Verarbeitung neuer Substratmaterialien wie Galliumnitrid und Diamant.
