Die University of Tokyo hat erfolgreich eine neue Technologie für die Verarbeitung von Gla-Substraten für Laser-Mikro-Loch-Verarbeitung entwickelt
Kürzlich kündigte die University of Tokyo die erfolgreiche Entwicklung einer "Laser-Mikro-Loch-Verarbeitungstechnologie" für die nächste Generation von Halbleiter-Glassubstraten an, die eine hohe Präzision, eine extrem kleine Blende und ein hohes Seitenverhältnis für Mikro-Loch-Verarbeitung von Glasmaterialien erzielen können. Das im Experiment verwendete Glassubstrat wird von AGC "en-a1" erzeugt.
Mit Hilfe von Ultra-Short Impulse Deep Ultraviolet-Lasern hat das Team die Präzisionsverarbeitung von Glasmaterialien auf Mikronebene erreicht-der Durchmesser des Penetrationslochs beträgt weniger als 10 Mikrometer, und das Seitenverhältnis kann 20: 1 erreichen. Zuvor war es schwierig, Hoch-Aspekt-Verhältnis-Loch-Strukturen auf der Grundlage saurer Lösungseetchingprozesse herzustellen, und die Direktverarbeitungstechnologie von Tief-Ultraviolett-Laser-Laser-Direktverarbeitung durchbrach nicht nur diesen Engpass, sondern erreichte auch die Verarbeitung von rissfreier hochwertiger Hochqualität. Darüber hinaus erfordert dieses Verfahren keine chemischen Behandlungsschritte, wodurch die durch die Behandlung von Flüssigkeitsabfällen verursachte Umweltbelastung erheblich verringert werden kann.
Mikroskopische Bilder von Mikroporen, die von oben und Seite auf EN-A1-Glas gebohrt wurden
Diese Leistung ist ein wichtiger Meilenstein in der Nachbearbeitungstechnologie der Halbleiterherstellung der nächsten Generation. Wenn das Substrat-Kernmaterial und das Interposer-Material zu Glasbasis übergehen, bietet diese Technologie eine wichtige Lösung für die Verarbeitung von Glassubstraten durch die Loch. In Zukunft wird erwartet, dass die Entwicklung von Halbleitergeräten in Richtung einer geringeren Größe und einer höheren Integrationskomplexität in der Chiplet -Technologie fördert.
